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Passim recambios de la máquina del cigarrillo
Created with Pixso. Las unidades que embalan de Kretek cambian recambios de la máquina del cigarrillo del transistor de Irfz44nl passim

Las unidades que embalan de Kretek cambian recambios de la máquina del cigarrillo del transistor de Irfz44nl passim

Nombre De La Marca: Upperbond
Número De Modelo: Fabricante
Cuota De Producción: 2 PC
Precio: Negociable
Tiempo De Entrega: 5-8 días
Condiciones De Pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Información detallada
Lugar de origen:
China
Certificación:
CE, ISO
Capacidad:
800-10000 cigarrillos / min
Condiciones de pago:
50% pago por adelantado
Posición:
Garniture
adaptable:
Positivo
Material:
Acero inoxidable tratado
Servicio:
ODM/OEM
Detalles de empaquetado:
Cartón
Capacidad de la fuente:
10000 PC/mes
Resaltar:

Transistor de la máquina Irfz44nl del cigarrillo

,

Passim transistor de la máquina Irfz44nl del cigarrillo

,

Transistor para passim la máquina del cigarrillo

Descripción del producto

Las unidades que embalan de Kretek cambian recambios de la máquina del cigarrillo del transistor de Irfz44nl passim


Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

Transistor del silicio

El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.

Ventajas

El bajo costo, la flexibilidad, y la confiabilidad del transistor le han hecho un dispositivo ubicuo. Los circuitos mechatronic transistorizados han substituido los dispositivos electromecánicos en dispositivos de control y maquinaria. Es a menudo más fácil y más barato utilizar un microcontrolador estándar y escribir un programa de computadora para realizar una función de control que diseñar un sistema mecánico equivalente a

IRFZ44NS/LPbF

Parámetro Mínimo.
V (BR) DSS Voltaje de avería de la Dren-a-fuente 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente
RDS (encendido) En-resistencia estática de la Dren-a-fuente
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta 2,0
gts Transconductancia delantera 19
bss Corriente de la salida de la Dren-a-fuente
pérdida Salida delantera de la Puerta-a-fuente
Salida reversa de la Puerta-a-fuente
Qg Carga total de la puerta
Qgs Carga de la Puerta-a-fuente
Qgd Carga del Puerta-a-dren (“Miller”)
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura
tr Tiempo de subida
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado
tf Tiempo de caída
Ls Inductancia interna de la fuente
Cjss Capacitancia entrada
Coss Capacitancia de salida
Crss Capacitancia reversa de la transferencia
Eas Sola avalancha Energy® del pulso

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Lugar de origen:
China
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Upperbond
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CE, ISO
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Positivo
Material:
Acero inoxidable tratado
Servicio:
ODM/OEM
Cantidad de orden mínima:
2 PC
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Negociable
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5-8 días
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Transistor del silicio

El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.

Ventajas

El bajo costo, la flexibilidad, y la confiabilidad del transistor le han hecho un dispositivo ubicuo. Los circuitos mechatronic transistorizados han substituido los dispositivos electromecánicos en dispositivos de control y maquinaria. Es a menudo más fácil y más barato utilizar un microcontrolador estándar y escribir un programa de computadora para realizar una función de control que diseñar un sistema mecánico equivalente a

IRFZ44NS/LPbF

Parámetro Mínimo.
V (BR) DSS Voltaje de avería de la Dren-a-fuente 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente
RDS (encendido) En-resistencia estática de la Dren-a-fuente
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta 2,0
gts Transconductancia delantera 19
bss Corriente de la salida de la Dren-a-fuente
pérdida Salida delantera de la Puerta-a-fuente
Salida reversa de la Puerta-a-fuente
Qg Carga total de la puerta
Qgs Carga de la Puerta-a-fuente
Qgd Carga del Puerta-a-dren (“Miller”)
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura
tr Tiempo de subida
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado
tf Tiempo de caída
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Cjss Capacitancia entrada
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Crss Capacitancia reversa de la transferencia
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