Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Color: | Gris / Plata | Puerto de envío: | Guangzhou, Shangai |
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Máquina aplicable: | fabricante de cigarrillos | Modelos de máquinas: | Proto, Passim, MK8, MK9, |
Diámetro del cigarrillo: | 5,4 mm - 8,0 mm | Condición: | A estrenar |
Alta luz: | Passim transistor de la máquina del cigarrillo,Recambios de la máquina del cigarrillo de Irfz44ns,Passim accesorios de la maquinaria del cigarrillo |
Recambios de la máquina del cigarrillo de Electric Accessory Passim del modelo de Irfz44ns
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Transistor de alta frecuencia
El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.
MOSFET
El transistor del efecto de campo del metal-óxido-semiconductor (MOSFET), también conocido como el transistor del MOS, fue inventado por Mohamed Atalla y Dawon Kahng en 1959. El MOSFET era el primer transistor verdaderamente compacto que se podría miniaturizar y producir en masa para una amplia gama de aplicaciones. Con su alta capacidad de conversión a escala, y el consumo de una energía mucho más baja y más de alta densidad los transistores de empalme que bipolar, el MOSFET permitió construir los circuitos integrados de alta densidad, permitiendo la integración de más de 10.000 transistores en solo IC.
Caída de voltaje
La imagen representa un transistor bipolar típico en un circuito. Una carga fluirá entre el emisor y los terminales de colector dependiendo de la corriente en la base. Porque internamente las conexiones de la base y del emisor se comportan como un diodo de semiconductor, una caída de voltaje se convierte entre la base y el emisor mientras que existe la corriente baja. La cantidad de este voltaje depende del material que el transistor se hace de y se refiere como VBE.
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