Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Puerto de envío: | Guangzhou, Shangai | Dureza: | Aumentado grandemente |
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Otros modelos: | Skoda, CME, Sasib | Diámetro del cigarrillo: | 5.4m m - 8.0m m |
Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, | Material: | Acero inoxidable tratado |
Alta luz: | Componentes de la empaquetadora del cigarrillo,Transistor del silicio de la empaquetadora del cigarrillo,Piezas Irfz44ns de la máquina del cigarrillo |
Piezas discretas de la empaquetadora del cigarrillo del transistor del silicio de Irfz44ns
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Material
La mayoría de los transistores se hacen del silicio muy puro, y de algo del germanio, pero ciertos otros materiales del semiconductor se utilizan a veces. Un transistor puede tener solamente una clase de portador de carga, en un transistor del efecto de campo, o puede tener dos clases de ondas portadoras en dispositivos del transistor de empalme bipolar.
Transistores de empalme bipolar
Los primeros transistores de empalme bipolar fueron inventados por William Shockley de los laboratorios de Bell, que solicitó la patente (2.569.347) el 26 de junio de 1948. El 12 de abril de 1950, los químicos Gordon Teal de Bell Labs y Morgan Sparks habían producido con éxito un transistor de amplificación de trabajo del germanio del empalme bipolar de NPN.
Producción en masa
En los años 50, el ingeniero egipcio Mohamed Atalla investigó las propiedades superficiales de los semiconductores del silicio en Bell Labs, donde él propuso un nuevo método de fabricación del dispositivo de semiconductor, cubriendo una oblea de silicio con una capa de aislamiento de óxido de silicio de modo que la electricidad pudiera penetrar confiablemente al silicio que conducía abajo, superando los estados superficiales que evitaron que la electricidad alcanzara la capa semiconductora. Esto se conoce como estabilización de superficie, un método que llegó a ser crítico a la industria del semiconductor como ella hizo más adelante posible la producción en serie de los circuitos integrados del silicio.
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