Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
---|---|
Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Carga: | Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc | Color: | Gris/plata |
---|---|---|---|
Otros modelos: | Skoda, CME, Sasib | Transporte del mar: | Con órdenes más grandes solamente |
Marca: | Upperbond | Adaptable: | Positivo |
Alta luz: | Transistor de las piezas de la máquina de Cigarettery,Transistor de las piezas de la máquina del cigarrillo de HLP,Componentes Irfz44ns de la máquina del cigarrillo |
A través de piezas de la máquina del cigarrillo del Mosfet Irfz44ns HLP de la versión del agujero
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Transistor de alta frecuencia
El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.
Nombramiento
El transistor del término fue acuñado por John R. Pierce como contracción del transresistance del término. Según Lillian Hoddeson y Vicki Daitch, los autores de una biografía de John Bardeen, Shockley habían propuesto que patente de los laboratorios de Bell la primera para un transistor fuera basada en el efecto de campo y que lo nombren como el inventor.
IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
tr | Tiempo de subida | — |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
tf | Tiempo de caída | — |
Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
Cjss | Capacitancia entrada | — |
Coss | Capacitancia de salida | — |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |
Persona de Contacto: Kiana
Teléfono: +8613824425740
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