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Detalles de los productos

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Piezas de la máquina del cigarrillo de HLP
Created with Pixso. A través de piezas de la máquina del cigarrillo del Mosfet Irfz44ns HLP de la versión del agujero

A través de piezas de la máquina del cigarrillo del Mosfet Irfz44ns HLP de la versión del agujero

Nombre De La Marca: Upperbond
Número De Modelo: Fabricante
Cuota De Producción: 2 PC
Precio: Negociable
Tiempo De Entrega: 5-8 días
Condiciones De Pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Información detallada
Lugar de origen:
China
Certificación:
CE, ISO
Carga:
Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc
Color:
Gris/plata
Otros modelos:
Skoda, CME, Sasib
Transporte del mar:
Con órdenes más grandes solamente
Marca:
Upperbond
Adaptable:
Positivo
Detalles de empaquetado:
Cartón
Capacidad de la fuente:
10000 PC/mes
Resaltar:

Transistor de las piezas de la máquina de Cigarettery

,

Transistor de las piezas de la máquina del cigarrillo de HLP

,

Componentes Irfz44ns de la máquina del cigarrillo

Descripción del producto

A través de piezas de la máquina del cigarrillo del Mosfet Irfz44ns HLP de la versión del agujero

Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

Transistor de alta frecuencia

El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.

Nombramiento

El transistor del término fue acuñado por John R. Pierce como contracción del transresistance del término. Según Lillian Hoddeson y Vicki Daitch, los autores de una biografía de John Bardeen, Shockley habían propuesto que patente de los laboratorios de Bell la primera para un transistor fuera basada en el efecto de campo y que lo nombren como el inventor.

IRFZ44NS/LPbF

Parámetro Mínimo.
V (BR) DSS Voltaje de avería de la Dren-a-fuente 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente
RDS (encendido) En-resistencia estática de la Dren-a-fuente
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta 2,0
gts Transconductancia delantera 19
bss Corriente de la salida de la Dren-a-fuente
pérdida Salida delantera de la Puerta-a-fuente
Salida reversa de la Puerta-a-fuente
Qg Carga total de la puerta
Qgs Carga de la Puerta-a-fuente
Qgd Carga del Puerta-a-dren (“Miller”)
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura
tr Tiempo de subida
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado
tf Tiempo de caída
Ls Inductancia interna de la fuente
Cjss Capacitancia entrada
Coss Capacitancia de salida
Crss Capacitancia reversa de la transferencia
Eas Sola avalancha Energy® del pulso

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Upperbond
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Gris/plata
Otros modelos:
Skoda, CME, Sasib
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Adaptable:
Positivo
Cantidad de orden mínima:
2 PC
Precio:
Negociable
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Tiempo de entrega:
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,

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,

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Transistor de alta frecuencia

El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.

Nombramiento

El transistor del término fue acuñado por John R. Pierce como contracción del transresistance del término. Según Lillian Hoddeson y Vicki Daitch, los autores de una biografía de John Bardeen, Shockley habían propuesto que patente de los laboratorios de Bell la primera para un transistor fuera basada en el efecto de campo y que lo nombren como el inventor.

IRFZ44NS/LPbF

Parámetro Mínimo.
V (BR) DSS Voltaje de avería de la Dren-a-fuente 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente
RDS (encendido) En-resistencia estática de la Dren-a-fuente
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta 2,0
gts Transconductancia delantera 19
bss Corriente de la salida de la Dren-a-fuente
pérdida Salida delantera de la Puerta-a-fuente
Salida reversa de la Puerta-a-fuente
Qg Carga total de la puerta
Qgs Carga de la Puerta-a-fuente
Qgd Carga del Puerta-a-dren (“Miller”)
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura
tr Tiempo de subida
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado
tf Tiempo de caída
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Cjss Capacitancia entrada
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