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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Tiempo De Entrega: | 5-8 días |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Piezas a estrenar de la máquina del cigarrillo del transistor D2 PAK Electric MK9 del silicio
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Transistores de empalme bipolar
Los primeros transistores de empalme bipolar fueron inventados por William Shockley de los laboratorios de Bell, que solicitó la patente (2.569.347) el 26 de junio de 1948. El 12 de abril de 1950, los químicos Gordon Teal de Bell Labs y Morgan Sparks habían producido con éxito un transistor de amplificación de trabajo del germanio del empalme bipolar de NPN.
Tubo de vacío
Comparado con el tubo de vacío, los transistores son generalmente más pequeños y requieren menos poder de actuar. Ciertos tubos de vacío tienen ventajas sobre los transistores en las frecuencias de funcionamiento muy altas o los altos voltajes de funcionamiento. Muchos tipos de transistores son hechos a las especificaciones estandardizadas por los fabricantes múltiples.
Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
@Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |
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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Detalles Del Embalaje: | Cartón |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Piezas a estrenar de la máquina del cigarrillo del transistor D2 PAK Electric MK9 del silicio
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Transistores de empalme bipolar
Los primeros transistores de empalme bipolar fueron inventados por William Shockley de los laboratorios de Bell, que solicitó la patente (2.569.347) el 26 de junio de 1948. El 12 de abril de 1950, los químicos Gordon Teal de Bell Labs y Morgan Sparks habían producido con éxito un transistor de amplificación de trabajo del germanio del empalme bipolar de NPN.
Tubo de vacío
Comparado con el tubo de vacío, los transistores son generalmente más pequeños y requieren menos poder de actuar. Ciertos tubos de vacío tienen ventajas sobre los transistores en las frecuencias de funcionamiento muy altas o los altos voltajes de funcionamiento. Muchos tipos de transistores son hechos a las especificaciones estandardizadas por los fabricantes múltiples.
Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
@Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |