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Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Hauni Protos para las máquinas de Kretek

Nombre

Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Hauni Protos para las máquinas de Kretek

Nombre De La Marca:	Upperbond
Número De Modelo:	Fabricante
Cuota De Producción:	2 PC
Precio:	Negociable
Tiempo De Entrega:	5-8 días
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Información detallada

Descripción del producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Certificación:

CE, ISO

Qty. en cada máquina:

1

Máquina aplicable:

Fabricante de cigarrillo

Muestra:

Solamente cuando está cargado

Condiciones de pago:

pago delantero del 50%

Posición:

Garniture

Borde afilado:

Ninguno

Detalles de empaquetado:

Cartón

Capacidad de la fuente:

10000 PC/mes

Resaltar:

Transistor del silicio de la máquina de Kretek

,

Transistor de alta frecuencia de la máquina del cigarrillo

Descripción del producto

Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Hauni Protos para las máquinas de Kretek

Transistor del silicio

El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.

Transistor de alta frecuencia

El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.

Transistor del Punto-contacto

En 1948, el transistor del punto-contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras que trabajaba en el DES Freins y Signaux Westinghouse, una filial de Compagnie de Westinghouse situada en París. Mataré tenía experiencia anterior en rectificadores cristalinos que se convertían del silicio y del germanio en el esfuerzo alemán del radar durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de “interferencia” en 1947.

Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Hauni Protos para las máquinas de Kretek 0

Las etiquetas:

detector de la máquina del cigarrillo

embrague electromágnetico del diente

embrague electromágnetico miniatura

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Detalles Del Embalaje:	Cartón
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Lugar de origen:

China

Nombre de la marca:

Upperbond

Certificación:

CE, ISO

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Fabricante

Qty. en cada máquina:

1

Máquina aplicable:

Fabricante de cigarrillo

Muestra:

Solamente cuando está cargado

Condiciones de pago:

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Posición:

Garniture

Borde afilado:

Ninguno

Cantidad de orden mínima:

2 PC

Precio:

Negociable

Detalles de empaquetado:

Cartón

Tiempo de entrega:

5-8 días

Condiciones de pago:

T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Capacidad de la fuente:

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Resaltar:

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,

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Transistor del silicio

El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.

Transistor de alta frecuencia

El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.

Transistor del Punto-contacto

En 1948, el transistor del punto-contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras que trabajaba en el DES Freins y Signaux Westinghouse, una filial de Compagnie de Westinghouse situada en París. Mataré tenía experiencia anterior en rectificadores cristalinos que se convertían del silicio y del germanio en el esfuerzo alemán del radar durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de “interferencia” en 1947.

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