Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Diámetro del cigarrillo: | 5.4m m - 8.0m m | Color: | Gris/plata |
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Puerto de envío: | Guangzhou, Shangai | Máquina aplicable: | Fabricante de cigarrillo |
Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, | Condición: | A estrenar |
Alta luz: | Irfz44ns para las máquinas de Kretek,Máquina Irfz44ns del cigarrillo,Transistor de la máquina del cigarrillo MK9 |
Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para las máquinas de Kretek
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Grados y características del Fuente-dren
Parámetro | Tipo | Máximo. | |
Es | Corriente de fuente continua (diodo del cuerpo) | — | 49 |
Ismo | Corriente de fuente pulsada (diodo del cuerpo)① | — | 160 |
VsD | Voltaje delantero del diodo | — | 1,3 |
trr | Tiempo de recuperación reversa | 63 | 95 |
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 170 | 260 |
Radio de transistor del bolsillo
La primera radio de transistor del bolsillo del “prototipo” fue mostrada por INTERMETALL (una compañía fundada por Herbert Mataré en 1952) en el Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre el 29 de agosto de 1953 y el 6 de septiembre de 1953. La primera radio de transistor del bolsillo de la “producción” era la regencia TR-1, lanzada en octubre de 1954.
Producción en masa
En los años 50, el ingeniero egipcio Mohamed Atalla investigó las propiedades superficiales de los semiconductores del silicio en Bell Labs, donde él propuso un nuevo método de fabricación del dispositivo de semiconductor, cubriendo una oblea de silicio con una capa de aislamiento de óxido de silicio de modo que la electricidad pudiera penetrar confiablemente al silicio que conducía abajo, superando los estados superficiales que evitaron que la electricidad alcanzara la capa semiconductora. Esto se conoce como estabilización de superficie, un método que llegó a ser crítico a la industria del semiconductor como ella hizo más adelante posible la producción en serie de los circuitos integrados del silicio.
Persona de Contacto: Henry
Teléfono: +8615217690467
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