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Passim recambios de la máquina del cigarrillo
Created with Pixso. Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio de Hauni Protos

Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio de Hauni Protos

Nombre De La Marca: Upperbond
Número De Modelo: Fabricante
Cuota De Producción: 2 PC
Precio: Negociable
Tiempo De Entrega: 5-8 días
Condiciones De Pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Información detallada
Lugar de origen:
China
Certificación:
CE, ISO
Material:
Acero inoxidable tratado
Capacidad:
800-10000 cigs/minuto
Puerto de envío:
Guangzhou, Shangai
Condiciones de pago:
pago delantero del 50%
Diámetro del cigarrillo:
5.4m m - 8.0m m
Modelos de máquina:
Protos, passim, MK8, MK9,
Detalles de empaquetado:
Cartón
Capacidad de la fuente:
10000 PC/mes
Resaltar:

Transistor del silicio de la máquina del tabaco

,

Transistor del silicio de las piezas de la máquina del cigarrillo

Descripción del producto

Transistor nano D2 PAK Electric Cigarette Machine Parts del silicio de Hauni Protos

Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

Transistor del Punto-contacto

En 1948, el transistor del punto-contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras que trabajaba en el DES Freins y Signaux Westinghouse, una filial de Compagnie de Westinghouse situada en París. Mataré tenía experiencia anterior en rectificadores cristalinos que se convertían del silicio y del germanio en el esfuerzo alemán del radar durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de “interferencia” en 1947.

Transistor de alta frecuencia

El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.

Transistor del silicio

El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.


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Nombre De La Marca: Upperbond
Número De Modelo: Fabricante
Cuota De Producción: 2 PC
Precio: Negociable
Detalles Del Embalaje: Cartón
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Información detallada
Lugar de origen:
China
Nombre de la marca:
Upperbond
Certificación:
CE, ISO
Número de modelo:
Fabricante
Material:
Acero inoxidable tratado
Capacidad:
800-10000 cigs/minuto
Puerto de envío:
Guangzhou, Shangai
Condiciones de pago:
pago delantero del 50%
Diámetro del cigarrillo:
5.4m m - 8.0m m
Modelos de máquina:
Protos, passim, MK8, MK9,
Cantidad de orden mínima:
2 PC
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
Cartón
Tiempo de entrega:
5-8 días
Condiciones de pago:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente:
10000 PC/mes
Resaltar:

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Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

Transistor del Punto-contacto

En 1948, el transistor del punto-contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras que trabajaba en el DES Freins y Signaux Westinghouse, una filial de Compagnie de Westinghouse situada en París. Mataré tenía experiencia anterior en rectificadores cristalinos que se convertían del silicio y del germanio en el esfuerzo alemán del radar durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de “interferencia” en 1947.

Transistor de alta frecuencia

El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.

Transistor del silicio

El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.


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