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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Tiempo De Entrega: | 5-8 días |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Las unidades de Hauni Max Super Slim Kretek Packing cambian el transistor de Irfz44nl
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
tr | Tiempo de subida | — |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
tf | Tiempo de caída | — |
Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
Cjss | Capacitancia entrada | — |
Coss | Capacitancia de salida | — |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |
Tubo de vacío
Comparado con el tubo de vacío, los transistores son generalmente más pequeños y requieren menos poder de actuar. Ciertos tubos de vacío tienen ventajas sobre los transistores en las frecuencias de funcionamiento muy altas o los altos voltajes de funcionamiento. Muchos tipos de transistores son hechos a las especificaciones estandardizadas por los fabricantes múltiples.
Grados y características del Fuente-dren
Parámetro | Tipo | Máximo. | |
Es | Corriente de fuente continua (diodo del cuerpo) | — | 49 |
Ismo | Corriente de fuente pulsada (diodo del cuerpo)① | — | 160 |
VsD | Voltaje delantero del diodo | — | 1,3 |
trr | Tiempo de recuperación reversa | 63 | 95 |
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 170 | 260 |
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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Detalles Del Embalaje: | Cartón |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Las unidades de Hauni Max Super Slim Kretek Packing cambian el transistor de Irfz44nl
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
tr | Tiempo de subida | — |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
tf | Tiempo de caída | — |
Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
Cjss | Capacitancia entrada | — |
Coss | Capacitancia de salida | — |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |
Tubo de vacío
Comparado con el tubo de vacío, los transistores son generalmente más pequeños y requieren menos poder de actuar. Ciertos tubos de vacío tienen ventajas sobre los transistores en las frecuencias de funcionamiento muy altas o los altos voltajes de funcionamiento. Muchos tipos de transistores son hechos a las especificaciones estandardizadas por los fabricantes múltiples.
Grados y características del Fuente-dren
Parámetro | Tipo | Máximo. | |
Es | Corriente de fuente continua (diodo del cuerpo) | — | 49 |
Ismo | Corriente de fuente pulsada (diodo del cuerpo)① | — | 160 |
VsD | Voltaje delantero del diodo | — | 1,3 |
trr | Tiempo de recuperación reversa | 63 | 95 |
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 170 | 260 |