![]() |
Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Tiempo De Entrega: | 5-8 días |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Embalador del cigarrillo de Electric Part Of del modelo de la sección Irfz44ns de la asamblea MK8
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Material
La mayoría de los transistores se hacen del silicio muy puro, y de algo del germanio, pero ciertos otros materiales del semiconductor se utilizan a veces. Un transistor puede tener solamente una clase de portador de carga, en un transistor del efecto de campo, o puede tener dos clases de ondas portadoras en dispositivos del transistor de empalme bipolar.
IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
tr | Tiempo de subida | — |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
tf | Tiempo de caída | — |
Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
Cjss | Capacitancia entrada | — |
Coss | Capacitancia de salida | — |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |
Características
• Tecnología de proceso avanzada
• Soporte superficial (IRFZ44NS)
• Por-agujero discreto (IRFZ44NL)
• temperatura de funcionamiento 175°C
• Transferencia rápida
• Completamente avalancha clasificada
• Sin plomo
![]() |
Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Detalles Del Embalaje: | Cartón |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Embalador del cigarrillo de Electric Part Of del modelo de la sección Irfz44ns de la asamblea MK8
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Material
La mayoría de los transistores se hacen del silicio muy puro, y de algo del germanio, pero ciertos otros materiales del semiconductor se utilizan a veces. Un transistor puede tener solamente una clase de portador de carga, en un transistor del efecto de campo, o puede tener dos clases de ondas portadoras en dispositivos del transistor de empalme bipolar.
IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
tr | Tiempo de subida | — |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
tf | Tiempo de caída | — |
Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
Cjss | Capacitancia entrada | — |
Coss | Capacitancia de salida | — |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |
Características
• Tecnología de proceso avanzada
• Soporte superficial (IRFZ44NS)
• Por-agujero discreto (IRFZ44NL)
• temperatura de funcionamiento 175°C
• Transferencia rápida
• Completamente avalancha clasificada
• Sin plomo