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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Tiempo De Entrega: | 5-8 días |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor avanzado del fabricante de cigarrillo de la tecnología de proceso de la sección de la asamblea MK8
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
1. Mecanismo
Un voltaje o una corriente se aplicó a un par de los terminales del transistor controla la corriente con otros pares de terminales. Porque el poder controlado (de la salida) puede ser más alto que el poder (de la entrada que controla), un transistor puede amplificar una señal. Hoy, algunos transistores se empaquetan individualmente, pero mucho más se encuentran integrada en circuitos integrados.
1. IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
1. Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
@Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |
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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Detalles Del Embalaje: | cartón |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor avanzado del fabricante de cigarrillo de la tecnología de proceso de la sección de la asamblea MK8
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
1. Mecanismo
Un voltaje o una corriente se aplicó a un par de los terminales del transistor controla la corriente con otros pares de terminales. Porque el poder controlado (de la salida) puede ser más alto que el poder (de la entrada que controla), un transistor puede amplificar una señal. Hoy, algunos transistores se empaquetan individualmente, pero mucho más se encuentran integrada en circuitos integrados.
1. IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
1. Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
@Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |