Transistor clasificado de la maquinaria de Kretek completamente de la avalancha nana de Sasib 3000

Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

1. Producción en masa

En los años 50, el ingeniero egipcio Mohamed Atalla investigó las propiedades superficiales de los semiconductores del silicio en Bell Labs, donde él propuso un nuevo método de fabricación del dispositivo de semiconductor, cubriendo una oblea de silicio con una capa de aislamiento de óxido de silicio de modo que la electricidad pudiera penetrar confiablemente al silicio que conducía abajo, superando los estados superficiales que evitaron que la electricidad alcanzara la capa semiconductora. Esto se conoce como estabilización de superficie, un método que llegó a ser crítico a la industria del semiconductor como ella hizo más adelante posible la producción en serie de los circuitos integrados del silicio.

2. MOSFET

El transistor del efecto de campo del metal-óxido-semiconductor (MOSFET), también conocido como el transistor del MOS, fue inventado por Mohamed Atalla y Dawon Kahng en 1959. El MOSFET era el primer transistor verdaderamente compacto que se podría miniaturizar y producir en masa para una amplia gama de aplicaciones. Con su alta capacidad de conversión a escala, y el consumo de una energía mucho más baja y más de alta densidad los transistores de empalme que bipolar, el MOSFET permitió construir los circuitos integrados de alta densidad, permitiendo la integración de más de 10.000 transistores en solo IC.

3. Cmos

El Cmos (MOS complementario) fue inventado por Chih-Tang Sah y Frank Wanlass en el semiconductor de Fairchild en 1963. El primer informe de un MOSFET de la flotar-puerta fue hecho por Dawon Kahng y Simon Sze en 1967. Un MOSFET de la doble-puerta primero fue demostrado en 1984 por los investigadores electrotécnicos Toshihiro Sekigawa y Yutaka Hayashi del laboratorio