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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Tiempo De Entrega: | 5-8 días |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor de IRFZ44NSTRLPBF
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
1. Características
• Tecnología de proceso avanzada
• Soporte superficial (IRFZ44NS)
• Por-agujero discreto (IRFZ44NL)
• temperatura de funcionamiento 175°C
• Transferencia rápida
• Completamente avalancha clasificada
• Sin plomo
2. Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
@Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
tr | Tiempo de subida | — |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
tf | Tiempo de caída | — |
Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
Cjss | Capacitancia entrada | — |
Coss | Capacitancia de salida | — |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |
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Nombre De La Marca: | Upperbond |
Número De Modelo: | Fabricante |
Cuota De Producción: | 2 PC |
Precio: | Negociable |
Detalles Del Embalaje: | cartón |
Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Transistor de IRFZ44NSTRLPBF
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
1. Características
• Tecnología de proceso avanzada
• Soporte superficial (IRFZ44NS)
• Por-agujero discreto (IRFZ44NL)
• temperatura de funcionamiento 175°C
• Transferencia rápida
• Completamente avalancha clasificada
• Sin plomo
2. Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
@Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |
3. IRFZ44NS/LPbF
Parámetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Voltaje de avería de la Dren-a-fuente | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente | — |
RDS (encendido) | En-resistencia estática de la Dren-a-fuente | — |
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 2,0 |
gts | Transconductancia delantera | 19 |
bss | Corriente de la salida de la Dren-a-fuente | — |
— | ||
pérdida | Salida delantera de la Puerta-a-fuente | — |
Salida reversa de la Puerta-a-fuente | — | |
Qg | Carga total de la puerta | — |
Qgs | Carga de la Puerta-a-fuente | — |
Qgd | Carga del Puerta-a-dren (“Miller”) | — |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | — |
tr | Tiempo de subida | — |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | — |
tf | Tiempo de caída | — |
Ls | Inductancia interna de la fuente | — |
Cjss | Capacitancia entrada | — |
Coss | Capacitancia de salida | — |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | — |
Eas | Sola avalancha Energy® del pulso | — |