Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PCS |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Máquina aplicable: | Fabricante de cigarrillo | Color: | Gris/plata |
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Puerto de envío: | Guangzhou, Shangai | Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, |
Diámetro del cigarrillo: | 5.4m m - 8.0m m | Condición: | A estrenar |
Alta luz: | Fabricante de cigarrillos Irfz44ns,Máquina de cigarrillos Passim Irfz44ns,Componentes de la máquina de cigarrillos Passim |
Piezas de repuesto para máquina de cigarrillos eléctrica D2PAK Mosfet Irfz44ns Passim
Un transistor es un dispositivo semiconductor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas y energía eléctrica.Los transistores son uno de los componentes básicos de la electrónica moderna.Está compuesto de material semiconductor por lo general con al menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Caída de voltaje
La imagen representa un transistor bipolar típico en un circuito.Fluirá una carga entre los terminales del emisor y del colector dependiendo de la corriente en la base.Debido a que internamente las conexiones de la base y el emisor se comportan como un diodo semiconductor, se desarrolla una caída de voltaje entre la base y el emisor mientras existe la corriente de base.La cantidad de este voltaje depende del material del que está hecho el transistor y se conoce como VBE.
MOSFET
El transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET), también conocido como transistor MOS, fue inventado por Mohamed Atalla y Dawon Kahng en 1959. El MOSFET fue el primer transistor verdaderamente compacto que podía miniaturizarse y producirse en masa para un amplia gama de usos.Con su alta escalabilidad y mucho menor consumo de energía y mayor densidad que los transistores de unión bipolar, el MOSFET hizo posible construir circuitos integrados de alta densidad, permitiendo la integración de más de 10,000 transistores en un solo IC.
Transistor de alta frecuencia
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de germanio de barrera superficial desarrollado por Philco en 1953, capaz de operar hasta 60 MHz.Estos se hicieron grabando depresiones en una base de germanio tipo n desde ambos lados con chorros de sulfato de indio (III) hasta que tenía unas diezmilésimas de pulgada de espesor.Galvanoplastia de indio en las depresiones formadas por el colector y el emisor.
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