Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Dureza: | Aumentado grandemente | Otros modelos: | Skoda, CME, Sasib |
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Tamaño de los cigarrillos: | Rey Size/Super Slim/nano | Uso: | Aplicación del pegamento |
Transporte del mar: | Solo con pedidos grandes | Muestra: | Solamente cuando está cargado |
Alta luz: | Maquinaria Irfz44nl del cigarrillo de Protos,Máquina Componets Irfz44nl del cigarrillo,Irfz44nl para la maquinaria del cigarrillo |
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Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Radio de transistor del bolsillo
La primera radio de transistor del bolsillo del “prototipo” fue mostrada por INTERMETALL (una compañía fundada por Herbert Mataré en 1952) en el Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre el 29 de agosto de 1953 y el 6 de septiembre de 1953. La primera radio de transistor del bolsillo de la “producción” era la regencia TR-1, lanzada en octubre de 1954.
MOSFET
El transistor del efecto de campo del metal-óxido-semiconductor (MOSFET), también conocido como el transistor del MOS, fue inventado por Mohamed Atalla y Dawon Kahng en 1959. El MOSFET era el primer transistor verdaderamente compacto que se podría miniaturizar y producir en masa para una amplia gama de aplicaciones. Con su alta capacidad de conversión a escala, y el consumo de una energía mucho más baja y más de alta densidad los transistores de empalme que bipolar, el MOSFET permitió construir los circuitos integrados de alta densidad, permitiendo la integración de más de 10.000 transistores en solo IC.
Caída de voltaje
La imagen representa un transistor bipolar típico en un circuito. Una carga fluirá entre el emisor y los terminales de colector dependiendo de la corriente en la base. Porque internamente las conexiones de la base y del emisor se comportan como un diodo de semiconductor, una caída de voltaje se convierte entre la base y el emisor mientras que existe la corriente baja. La cantidad de este voltaje depende del material que el transistor se hace de y se refiere como VBE.
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