LIMITADO INDUSTRIAL DE HK UPPERBOND
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| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | Upperbond |
| Certificación: | CE, ISO |
| Número de modelo: | Fabricante |
| Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
|---|---|
| Precio: | Negotiable |
| Detalles de empaquetado: | Cartón |
| Tiempo de entrega: | 5-8 días |
| Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
| Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
| Adaptable: | Positivo | Qty. en cada máquina: | 1 |
|---|---|---|---|
| Servicio: | ODM/OEM | Posición: | Garniture |
| Muestra: | Solamente cuando está cargado | Borde afilado: | Ninguno |
| Alta luz: | Piezas de la empaquetadora del cigarrillo de MK8D,Línea de embalaje del cigarrillo Irfz44ns,Línea de embalaje del cigarrillo piezas Irfz44ns |
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Línea de embalaje a estrenar del cigarrillo de MK8D transferencia rápida Irfz44ns
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
| Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
| lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
| Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
| @Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
| Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
| Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
| Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
| Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
| dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
| Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |
Material
La mayoría de los transistores se hacen del silicio muy puro, y de algo del germanio, pero ciertos otros materiales del semiconductor se utilizan a veces. Un transistor puede tener solamente una clase de portador de carga, en un transistor del efecto de campo, o puede tener dos clases de ondas portadoras en dispositivos del transistor de empalme bipolar.
Transistor del Punto-contacto
En 1948, el transistor del punto-contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras que trabajaba en el DES Freins y Signaux Westinghouse, una filial de Compagnie de Westinghouse situada en París. Mataré tenía experiencia anterior en rectificadores cristalinos que se convertían del silicio y del germanio en el esfuerzo alemán del radar durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de “interferencia” en 1947.
Persona de Contacto: Winnie
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