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Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Sasib 3000 para las máquinas de Kretek

Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Sasib 3000 para las máquinas de Kretek

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Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Sasib 3000 para las máquinas de Kretek
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Upperbond
Certificación: CE, ISO
Número de modelo: Fabricante
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 2 PC
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Cartón
Tiempo de entrega: 5-8 días
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente: 10000 PC/mes
Contacto
Descripción detallada del producto
Tipos: Manual/Pneumatc/eléctrico Cortar el material: Lado del filtro
Carga: Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc Prueba del moho: Asegurado
Corrosión anti: Garantizado Términos de envío: EXW, MANDO, CFR, CIF
Alta luz:

Kretek trabaja a máquina el MOSFET

Mosfet nano Irfz44ns de la versión del Por-agujero de Sasib 3000 para las máquinas de Kretek

Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

Transistor del silicio

El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.

MOSFET

El transistor del efecto de campo del metal-óxido-semiconductor (MOSFET), también conocido como el transistor del MOS, fue inventado por Mohamed Atalla y Dawon Kahng en 1959. El MOSFET era el primer transistor verdaderamente compacto que se podría miniaturizar y producir en masa para una amplia gama de aplicaciones. Con su alta capacidad de conversión a escala, y el consumo de una energía mucho más baja y más de alta densidad los transistores de empalme que bipolar, el MOSFET permitió construir los circuitos integrados de alta densidad, permitiendo la integración de más de 10.000 transistores en solo IC.

Importancia

Los transistores son los componentes activos dominantes en prácticamente toda la electrónica moderna. Muchos consideran así el transistor ser una de las invenciones más grandes del siglo XX.

La invención del primer transistor en Bell Labs fue nombrada un jalón de IEEE en 2009. La lista de jalones de IEEE también incluye las invenciones del transistor de empalme en 1948 y del MOSFET en 1959.

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Contacto
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Persona de Contacto: Kiana

Teléfono: +8613824425740

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