Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Dureza: | Aumentado grandemente | Otros modelos: | Skoda, CME, Sasib |
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uso: | Aplicación del pegamento | Tamaño de los cigarrillos: | Gigante/estupendo adelgace/nano |
Muestra: | Solamente cuando está cargado | Transporte del mar: | Solo con pedidos más grandes |
Alta luz: | Transistor de la maquinaria de Kretek,transistor de 7.8x100m m |
Transistor clasificado de la maquinaria de Kretek de la avalancha estupenda de rey Size 7.8*100m m completamente
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
1. MOSFET
El transistor del efecto de campo del metal-óxido-semiconductor (MOSFET), también conocido como el transistor del MOS, fue inventado por Mohamed Atalla y Dawon Kahng en 1959. El MOSFET era el primer transistor verdaderamente compacto que se podría miniaturizar y producir en masa para una amplia gama de aplicaciones. Con su alta capacidad de conversión a escala, y el consumo de una energía mucho más baja y más de alta densidad los transistores de empalme que bipolar, el MOSFET permitió construir los circuitos integrados de alta densidad, permitiendo la integración de más de 10.000 transistores en solo IC.
1. Producción en masa
En los años 50, el ingeniero egipcio Mohamed Atalla investigó las propiedades superficiales de los semiconductores del silicio en Bell Labs, donde él propuso un nuevo método de fabricación del dispositivo de semiconductor, cubriendo una oblea de silicio con una capa de aislamiento de óxido de silicio de modo que la electricidad pudiera penetrar confiablemente al silicio que conducía abajo, superando los estados superficiales que evitaron que la electricidad alcanzara la capa semiconductora. Esto se conoce como estabilización de superficie, un método que llegó a ser crítico a la industria del semiconductor como ella hizo más adelante posible la producción en serie de los circuitos integrados del silicio.
1. Transistor del silicio
El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.
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