Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Otros modelos: | Skoda, CME, Sasib | Adaptable: | Positivo |
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Transporte del mar: | Solo con pedidos más grandes | Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, |
Puerto de envío: | Guangzhou, Shangai | Diámetro del cigarrillo: | 5.4m m - 8.0m m |
Alta luz: | Línea de embalaje del cigarrillo transistor,Transistor de la máquina del cigarrillo de Protos,Transistor de la máquina del cigarrillo de Hauni |
Línea de embalaje nana del cigarrillo de Hauni Protos transferencia rápida Irfz44ns
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
1. Radio de transistor del bolsillo
La primera radio de transistor del bolsillo del “prototipo” fue mostrada por INTERMETALL (una compañía fundada por Herbert Mataré en 1952) en el Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre el 29 de agosto de 1953 y el 6 de septiembre de 1953. La primera radio de transistor del bolsillo de la “producción” era la regencia TR-1, lanzada en octubre de 1954.
1. Transistor de alta frecuencia
El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.
1. Transistores de empalme bipolar
Los primeros transistores de empalme bipolar fueron inventados por William Shockley de los laboratorios de Bell, que solicitó la patente (2.569.347) el 26 de junio de 1948. El 12 de abril de 1950, los químicos Gordon Teal de Bell Labs y Morgan Sparks habían producido con éxito un transistor de amplificación de trabajo del germanio del empalme bipolar de NPN.
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