Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Upperbond |
Certificación: | CE, ISO |
Número de modelo: | Fabricante |
Cantidad de orden mínima: | 2 PC |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | cartón |
Tiempo de entrega: | 5-8 días |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacidad de la fuente: | 10000 PC/mes |
Máquina aplicable: | Fabricante de cigarrillo | Transporte del mar: | Solo con pedidos más grandes |
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Muestra: | Solamente cuando está cargado | Borde adaptable: | Positivo |
Color: | Gris/plata | Condiciones de pago: | pago delantero del 50% |
Alta luz: | Transistor de las unidades Irfz44nl del embalaje de Kretek,Transistor del fabricante de cigarrillo Irfz44nl |
Las unidades que embalan estupendas de rey Size 7.8*100m m Kretek cambian el transistor de Irfz44nl
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
1. Radio de coche del Todo-transistor
La primera radio de coche del todo-transistor de la “producción” fue desarrollada por Chrysler y las sociedades y Philco fueron anunciados en la edición del 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler había hecho la radio de coche del todo-transistor, Mopar 914HR, disponible modelo como opción que comenzaba en la caída 1955 para su nueva línea de Chrysler 1956 y de coches imperiales que primero golpeó los pisos de la sala de exposición de la representación el 21 de octubre de 1955.
2. Transistor del silicio
El primer transistor de trabajo del silicio fue desarrollado en Bell Labs el 26 de enero de 1954, por Morris Tanenbaum. El primer transistor comercial del silicio fue producido por Texas Instruments en 1954. Éste era el trabajo de Gordon Teal, experto en los cristales crecientes de la pureza elevada, que habían trabajo previo en Bell Labs.
3. Producción en masa
En los años 50, el ingeniero egipcio Mohamed Atalla investigó las propiedades superficiales de los semiconductores del silicio en Bell Labs, donde él propuso un nuevo método de fabricación del dispositivo de semiconductor, cubriendo una oblea de silicio con una capa de aislamiento de óxido de silicio de modo que la electricidad pudiera penetrar confiablemente al silicio que conducía abajo, superando los estados superficiales que evitaron que la electricidad alcanzara la capa semiconductora. Esto se conoce como estabilización de superficie, un método que llegó a ser crítico a la industria del semiconductor como ella hizo más adelante posible la producción en serie de los circuitos integrados del silicio.
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